SQR50N03-06P
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TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
10
8
I D = 50 A
2.5
I D = 20 A
V D S = 15 V
2.0
V GS = 10 V
6
1.5
4
2
1.0
V GS = 4.5 V
0
0.5
0
10
20
30
40
50
60
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
Q g - Total G ate Charge (nC)
Gate Charge
0.05
0.04
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1
0.1
T J = 150 ° C
0.03
0.02
0.01
0.001
T J = 25 ° C
T J = - 50 ° C
0.01
0.00
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.5
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
40
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.1
38
I D = 10 mA
- 0.3
- 0.7
- 1.1
- 1.5
I D = 5 mA
I D = 250 μA
36
34
32
30
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
T J - Junction Temperature ( ° C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S12-2198-Rev. C, 24-Sep-12
4
Document Number: 69061
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